El diseño de los GAA, los transistores más avanzados para los chips de 3 nanómetros de última generación, fue presentado por la compañía CXMT en un documento durante una conferencia internacional de alta tecnología.
ChangXin Memory Technologies (CXMT), una de las empresas más importantes de chips de memoria de China y el principal desarrollador de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) del país asiático, puede haber logrado otro avance tecnológico a pesar de las sanciones comerciales impuestas por EE.UU., informa South China Morning Post con referencia a un documento que la empresa china acaba de presentar en una conferencia internacional.
CXMT hizo público su informe en la 69.ª Reunión Internacional Anual de Dispositivos Electrónicos (IEDM, por sus siglas en inglés) del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (IEEE), que tuvo lugar del 9 al 13 de diciembre en San Francisco (EE.UU.). De acuerdo con el medio, este documento puso de relieve las capacidades de la empresa china para el diseño de los transistores más avanzados para los chips de 3 nanómetros de última generación: los GAA (‘gate-all-around’), que se conocen como los transistores de alrededor o de puerta integral.
¿Un progreso «impresionante» que «rompe las sanciones»?
El informe de CXMT llamó la atención de los analistas de la industria, ya que el diseño de dichos chips generalmente involucra tecnologías que están sujetas a sanciones de exportación estadounidenses. Así, Frederick Chen, experto en chips de memoria de Winbond Electronics, una empresa con sede en Taiwán, calificó el progreso de CXMT de «impresionante«, ya que evidencia que la empresa china no está muy lejos de la investigación punta y productos de vanguardia. «Es importante porque Samsung Electronics está tratando de hacer lo mismo», indicó Chen.
Dylan Patel, analista jefe de la firma de investigación de semiconductores SemiAnalysis, con sede en San Francisco, en una publicación en su cuenta de X reconoció el progreso de CXMT y, al mismo tiempo, dijo que «esto rompe las sanciones estadounidenses«.
En este contexto, el medio solicitó comentarios a CXMT, que afirmó que su informe de la conferencia IEEE 2023 «describe una investigación fundamental relacionada con la estructura DRAM y la viabilidad del diseño 4F2» y «no tiene nada que ver con los procesos de producción actuales de CXMT». «Cualquier acusación de que CXMT esté violando las sanciones estadounidenses o los controles de exportación es completamente inexacta«, subrayaron desde la compañía china. «Creemos firmemente que el libre flujo de ideas que IEDM busca fomentar es esencial para la innovación y el desarrollo de la industria», concluyeron.